真空熔炼炉的两种结构介绍 　　真空熔炼炉采用耐热钢制造的真空罐放入电阻炉中，根据真空热处理工艺的需要，配接适当的真空系统，即成为筒单的真空热处理炉。是由电阻炉，真空罐硬和真空泵真空闷门、真空计等构成的真空系统。其热源在真空的外部，也就是电热元件设置在真空罐的外部，工件放在真空罐的内部，靠间接加热。 　　真空熔炼炉有以下几种结构： 　　1.钟罩式结构 　　这种结构的真空缺座落在炉底上，整个真空熔炼炉炉底和真空罐可以借助于电动或液压传动升降，以完成装出料操作并能缩短冷却时间。也可以采取真空罐和炉底固定不动，罩式炉体升降的方法来完成进出料操作等，但是炉体升降较为复杂。采用哪一种方法，要根据现场实际情况而定。 　　2.双真空结构 　　这种结构不仅真空罐内部被抽成真空，而且真空罐外部的真空熔炼炉炉体部分也被抽成真空。这样，就可以减少真空镶承受的压力，避免真空罐外壁氧化和变形，延长了真空罐的使用寿命。 　　在使用时还要注意，真空罐是真空甩带炉的关键性部件。由于真空罐须在高温和一个大气压的外压条件下工作，所以，真空罐的材料应具备良好的热稳定性和耐氧化性，间接性能要好，焊缝不易产生气孔、开裂，保证高温气密性。材料成分中的元素蒸气压要低，防止合金元素在高温、高真空下挥发。

　　气相沉积炉的结构及工作原理　　气相沉积炉（Gas Phase Deposition Furnace）是一种用于材料薄膜生长的实验设备，常用于半导体、光电子、纳米科技等领域。下面是气相沉积炉的基本结构和工作原理的简要说明：　　气相沉积炉结构：　　气相沉积炉通常由以下几个主要组成部分构成：　　1.反应室（Reaction Chamber）：用于放置材料衬底（Substrate）以及执行反应的区域。反应室通常是一个密封的金属腔体，具有高温抗腐蚀性能。　　2.加热系统（Heating System）：用于提供反应室内的高温环境。加热系统通常采用电阻加热或感应加热的方式，通过加热元件（比如加热线圈）提供热源。　　3.气体供应系统（Gas Supply System）：用于控制和提供反应室内所需的气体混合物。气体供应系统通常包括多个气体进口、流量控制器和混合装置等。　　4.排气系统（Exhaust System）：用于排除反应室内产生的废气和杂质。排气系统通常包括真空泵和废气处理装置等。　　5.控制系统（Control System）：用于对炉子的温度、气体流量等参数进行实时监控和调节。　　气相沉积炉工作原理：　　气相沉积炉的工作原理是利用热分解或化学反应将气体源中的原料分子在高温环境下转化为可沉积的材料薄膜。具体步骤如下：　　1.衬底放置：将待生长的衬底放置在反应室中的加热区域，通常通过夹持装置固定。　　2.加热预处理：加热系统提供热源，将反应室内的温度升至所需的生长温度。此过程通常在惰性气氛下进行，以排除氧气和其他杂质。　　3.气体供应和反应：气体供应系统控制并提供所需的气体混合物，其通过进入反应室与衬底表面发生化学反应或热分解，产生可沉积的物种。　　4.材料沉积：沉积物种在衬底表面吸附并形成一层薄膜。其形貌、结构和性质可通过控制温度、气体流量和沉积时间等参数来调节。　　5.冷却和取出：完成材料沉积后，可关闭气体供应和加热系统，让衬底缓慢冷却。待冷却至安全温度后，可以取出生长的薄膜。　　需要注意的是，具体的气相沉积炉工作原理会因不同类型的沉积方法（如化学气相沉积、物理气相沉积等）和所研究的材料而有所不同。上述仅为一般的工作原理示意，实际操作中需根据具体情况进行参数调节和设备操作。