真空烧结炉的空气抽不干净是啥原因 　　真空烧结炉在平时的试验中如果有液体存在，就需要一个液体蒸发的过程(高真空下不需要加热也能气化)，可以通过长时间拉真空来气化掉这部分液体从而达到高真空(等稳定)。如果长时间都达不到目标气压的话，就要考虑系统和罗茨泵了，你可以直接测一下罗茨泵的极限真空(不接入其他系统)，若完好则就是系统的密封性能了。 　　(1)水冷装置，真空热处理炉的炉壳、炉盖、电热元件导别处置(水冷电极)、中间真空隔热门等部件，均在真空、受热状态下工作。在这种极为不利的条件下工作，必须保证各部件的结构不变形、不损坏，真空密封圈不过热、不烧毁。因此，真空烧结炉各部件应该根据不同的情况设置水冷装置，以保证真空热处理炉能够正常运行并有足够的使用寿命。 　　(2)采用低电压大电流：在真空容器内，当真空空度为几托一lxlo-1托的范围内时，真空容器内的通电导体在较高的电压下，会产生辉光放电现象。在真空热处理炉内，严重的会产生弧光放电，烧毁电热元件、隔热层等，造成重大事故和损失。因此，真空热处理炉的电热元件的工作电压，一般都不超过80一100伏。同时在电热元件结构设计时要采取有效措施，如尽量避免有***的部件，电极间的间距不能太小窄，以防止辉光放电或者弧光放电的发生。 　　(3)大部分加热与隔热材料只能在真空状态下使用：真空烧结炉的加热与隔热衬料是在真空与高温下工作的，因而对这些材料提出了耐高温，蒸汽压低，辐射效果好，导热系数小等要求。对抗氧化性能要求不高。所以，真空热处理炉广泛采用了钽、钨、钼和石墨等作加热与隔热构料。这些材料在大气状态下极易氧化，因此，常规热处理炉不能采用这些加热与隔热材料。 　　(4)严格的真空密封：金属零件进行真空热处理均在密闭的真空烧结炉内进行，因此，获得和维持炉子原定的漏气率，保证真空炉的工作真空度，对确保零件真空热处理的质量有着非常重要的意义。所以真空热处理炉的一个关键问题，就是要有可靠的真空密封结构。为了保证真空炉的真空性能，在真空热处理炉结构设计中必须道循一个基本原则，就是炉体要采用气密焊接，同时在炉体上尽量少开或者不开孔，少采用或者避免采用动密封结构，以尽量减少真空泄漏的机会。安装在真空炉体上的部件、附件等如水冷电极、热电偶导出装置也都必须设计密封结构。 　　(5)自动化程度高：真空甩带炉的自动化程度之所以较高，是因为金属工件的加热、冷却等操作，需要十几个甚至几十个动作来完成。这些动作内在真空热处理炉内进行，操作人员无法接近。同时，有些动作如加热保温结束后，金属工件进行淬火工序须六个动作并且要在15秒钟以内完成。在这样迅速的条件来完成许多动作，是很容易造成操作人员的紧张而构成误操作。因此，只有较高的目动化才能准确、及时按程序协调动。

 气相沉积炉关键参数如何设置以优化生产过程气相沉积炉作为现代材料制备领域的重要设备，其性能的优劣直接关系到产品的质量和生产效率。为了优化生产过程，提高产品质量，必须对气相沉积炉的关键参数进行精确设置。气相沉积炉厂家洛阳八佳电气将详细介绍如何设置气相沉积炉的关键参数，以优化生产过程。 一、温度参数的设置温度是气相沉积过程中关键的参数之一。它直接影响着原料气体的分解、化合以及薄膜的生长速率。在设置温度参数时，需要根据具体的材料体系和工艺要求，精确控制炉内的温度。对于高温沉积过程，如碳化硅外延，温度通常设置在1600℃至1650℃之间，以确保原料气体充分反应，形成高质量的薄膜。同时，温度控制精度也非常重要，一般要求达到±1℃，以保证薄膜的均匀性和稳定性。 二、压力参数的调整炉内压力对气相沉积过程具有重要影响。压力参数的设置需要考虑到气体分子的扩散速率与碰撞频率，进而影响到薄膜的生长过程。在高压条件下，气体分子的扩散速率降低，可能导致薄膜生长速率减缓；而在低压条件下，气体分子的平均自由程增加，有利于薄膜的均匀生长。因此，在设置压力参数时，需要根据实际情况进行调整，以获得理想的薄膜生长效果。 三、气体流量与组分的控制气体流量与组分是气相沉积过程中的另外两个关键参数。气体流量的大小直接决定了原料气体在炉内的浓度分布，进而影响薄膜的生长速率与厚度。组分则决定了薄膜的化学组成与性能。在设置气体流量与组分时，需要根据所需的薄膜材料体系，精确控制气体流量与组分，确保薄膜的成分与性能符合设计要求。 四、基底参数的优化基底作为薄膜生长的载体，其材质、温度、表面状态等参数也会对气相沉积过程产生影响。在设置基底参数时，需要对基底进行充分的预处理，确保其表面状态良好，并根据实际情况调整基底的温度，以获得理想的薄膜生长效果。例如，在碳化硅外延过程中，基底的旋转性能和表面粗糙度对薄膜质量有着重要影响。 五、沉积时间的精确控制沉积时间是控制薄膜厚度的关键参数。过短的沉积时间可能导致薄膜厚度不足，影响性能；而过长的沉积时间则可能导致薄膜过厚，增加生产成本。因此，在设置沉积时间时，需要根据所需的薄膜厚度与生长速率，精确控制沉积时间，确保薄膜的厚度符合设计要求。 六、设备性能与自动化的考虑除了上述关键参数外，设备的性能和自动化程度也是优化生产过程的重要因素。例如，江苏前锦炉业设备有限公司生产的高真空CVD系统，采用双温区设计，可实现一边进气做气相沉积同时还能抽真空，保持炉膛内的真空度为负压的状态。同时，设备采用PID温控调节，使炉温控制精度达到±1℃，搭配全自动控制系统，大大提高了生产效率和产品质量。综上所述，通过精确设置气相沉积炉的温度、压力、气体流量与组分、基底参数以及沉积时间等关键参数，并结合先进的设备性能和自动化技术，可以有效优化生产过程，提高产品质量和生产效率。